# Transistore IRF640 IRF640N

> Transistore MOSFET di potenza IRF640/IRF640N in package TO220, utilizzato per commutazione e controllo in alimentatori switching, convertitori e applicazioni industriali. Tensione drain-source Vds 200V, corrente continua Id 18A, soglia Vgs max 4V, pilotaggio gate a Vgs 10V per Rds on ridotto.

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- Prezzo: 3.63 RON
- Disponibilità: Disponibile
- Riferimento: 33035 · EAN: 5944886454906
- Categoria: Componenti elettronici > Transistor > MOSFET
- Specifiche: Corrente nominale: 18 A
- Collo (dati di spedizione): 0.003 kg
- Aggiornato: 2026-09-14
- Negozio: [Sigmanortec.ro](https://sigmanortec.ro/it/llms.txt)
- Prezzi: RON, IVA inclusa; prezzi e disponibilità al 2026-10-22 02:51 (Europe/Bucharest)

## Descrizione

Transistor MOSFET di potenza per commutazione e controllo in alimentatori switching, convertitori e applicazioni industriali, supporta fino a 200 V tra drain e source e 18 A di corrente continua, in package TO220 per un facile montaggio e un'efficiente dissipazione, controllo del gate a 10 V per una bassa Rds on, soglia Vgs fino a 4 V per un funzionamento sicuro.
Transistor IRF 640, IRF 640N, 200V, 18A, contenitore TO220.
Corrente continua di drenaggio Id: 18A
Tensione di drenaggio-sorgente Vds: 200V
Tensione Vds Tipica: 200V
Tensione massima Vgs: 4V
Tensione Vgs per la misurazione Rds on: 10V
Tensione massima soglia Vgs th: 4V