# IRF840-Transistor

> MOSFET-Transistor IRF840 im TO-220-Gehäuse für Schalt- und Steuerungsanwendungen bei hohen Spannungen. Er bietet 500 V zwischen Drain und Source, einen Dauerstrom von 8 A, einen Rds(on)-Widerstand von 0,85 Ohm (850 mOhm) und eine maximale Vgs von 20 V. Geeignet für Schaltnetzteile, Inverter und Konverter.

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- Artikelnummer: 33037 · EAN: 5941107377273
- Kategorie: Elektronische Bauteile > Transistoren > MOSFETs
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- Aktualisiert: 2026-09-14
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## Beschreibung

Leistungs-MOSFET zum Schalten und Steuern von Hochspannungslasten, geeignet für Schaltnetzteile, Wechselrichter und Wandler. Bietet 500 V Drain-Source-Spannung, 8 A Dauerstrom, einen Rds(on)-Widerstand von 0,85 Ohm für geringe Verluste, ein montagefreundliches TO-220-Gehäuse und effiziente Wärmeableitung. Die maximale Vgs beträgt 20 V.
IRF 840-Transistor, TO-220-Gehäuse, 500 V 8 A
Id – Dauerstrom: 8 A
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 500 V
Rds On – Drain-Source-Widerstand: 850 mOhm
Vgs – Gate-Source-Durchbruchspannung: 20 V