# Transistor IRF640 IRF640N

> Leistungs-MOSFET IRF640/IRF640N im TO220-Gehäuse, für Schalt- und Steuerzwecke in Schaltnetzteilen, Wandlern und Industrieanwendungen. Drain-Source-Spannung Vds 200V, Dauerstrom Id 18A, Gate-Schwellenspannung Vgs max 4V, Gate-Ansteuerung bei Vgs 10V für niedrigen Rds on.

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- Artikelnummer: 33035 · EAN: 5944886454906
- Kategorie: Elektronische Bauteile > Transistoren > MOSFETs
- Technische Daten: Nennstrom: 18 A
- Paket (Versanddaten): 0.003 kg
- Aktualisiert: 2026-09-14
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## Beschreibung

Leistungs-MOSFET-Transistor zum Schalten und Steuern in Schaltquellen, Wandlern und industriellen Anwendungen, unterstützt bis zu 200 V zwischen Drain und Source und 18 A Dauerstrom, im TO220-Gehäuse für einfache Montage und effiziente Wärmeableitung, Gate-Steuerung bei 10 V für niedrigen Rds on, Vgs-Schwelle bis zu 4 V für sicheren Betrieb.
Transistor IRF 640, IRF 640N, 200 V, 18 A, TO220-Gehäuse.
Dauerstrom-ID: 18 A
Drain-Quellenspannung Vds: 200 V
Spannung Vds Typ: 200V
Spannung Vgs Max: 4V
Spannung Vgs Rds bei Messung: 10V
Spannung Vgs th Max: 4V