# MOSFET IRF540N, original

> Original IRF540N MOSFET, hergestellt von Infineon Technologies, im TO-220-Gehäuse. Drain-Source-Spannung Vds 100V, maximaler Strom Id 33A, kontinuierlicher Drain-Strom 27A, Rds(on) bei Vgs 10V getestet, Schwellenspannung Vgs typ. 4V. Geeignet für schnelles Schalten und Lastregelung in Netzteilen, Wandlern und Motortreibern.

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- Artikelnummer: 33034 · EAN: 5948351367012
- Kategorie: Elektronische Bauteile > Transistoren > MOSFETs
- Technische Daten: Nennstrom: 33 A
- Paket (Versanddaten): 0.003 kg
- Aktualisiert: 2026-09-14
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## Beschreibung

Originaler Leistungs-MOSFET, geeignet für schnelles Schalten und Laststeuerung in Quellen, Umrichtern und Motortreibern. Bietet 100 V zwischen Drain und Source, bis zu 33 A Maximalstrom, niedrigen Rds(on)-Widerstand bei Vgs 10 V für geringere Verluste, TO-220-Gehäuse für robuste Montage und effiziente Wärmeableitung, hergestellt von Infineon Technologies.
MOSFET IRF 540, Gehäuse TO 220, 100V, 33A.
Der Transistor ist original.
Spezifikationen:
Hersteller: Infineon Technologies
Dauerhafter Drain-Strom Id: 27A
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Rds(on) Testspannung Vgs: 10V
Schwellenspannung Vgs Typ: 4V
Maximaler Strom Id Max: 33A
Spannung Vds Typ: 100V
Maximale Spannung Vgs Max: 4V
Spannung Vgs Rds on Messung: 10V