# Leistungs-MOSFET, STP110N8F6, 80V, 110A, TO-220

> Leistungs-MOSFET mit N-Kanal, STP110N8F6, hergestellt von STMicroelectronics, im TO-220-Gehäuse. Unterstützt eine Vdss von 80V und einen maximalen Strom von 110A (Tc), bei einer maximalen Verlustleistung von 200W. Geeignet für schnelles, effizientes Schalten in Schaltnetzteilen, DC-DC-Wandlern und Motorsteuerungen; das TO-220-Gehäuse ermöglicht einfache Kühlkörpermontage.

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- Artikelnummer: 9294 · EAN: 5942807348389
- Kategorie: Elektronische Bauteile > Transistoren > MOSFETs
- Zustand: Generalüberholt
- Technische Daten: Nennstrom: 110 A
- Paket (Versanddaten): 0.003 kg
- Aktualisiert: 2026-09-14
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## Beschreibung

N-Kanal-Leistungs-MOSFET für schnelles und effizientes Schalten in Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern und Motorsteuerungen, unterstützt 80 V und bis zu 110 A bei Tc, bietet geringe Verluste und eine Verlustleistung von bis zu 200 W, TO-220-Gehäuse für einfache Montage auf einem Kühlkörper und robuste Integration in industrielle Anwendungen.
Leistungs-MOSFET, N-Kanal, 110N8F6, STMicroelectronics, im TO220-Gehäuse.
Spezifikationen:
Hersteller: STMicroelectronics
FET-Typ: N-Kanal
Vdss: 80V
Maximaler Strom: 110 A (Tc)
Maximale Verlustleistung: 200 W
Gehäuse: TO-220