# MOSFETs > MOSFET-Transistoren (IRF540N, IRF3205, IRLB3034 usw.) und Leistungsmodule für Schaltvorgänge, Motoren, 3D-Drucker - Shop: [Sigmanortec.ro](https://sigmanortec.ro/de/llms.txt) - Kategorieseite: https://sigmanortec.ro/de/mosfets - Kategorie: Elektronische Bauteile > Transistoren > MOSFETs - Preise: RON, inkl. MwSt.; Preise und Bestand vom 2026-10-22 02:51 (Europe/Bucharest) ## Produkte (18) ### IRF540N-Modul, 4 Kanäle, 5 V - Seite: https://sigmanortec.ro/de/irf540n-modul-4-kanale-5-v - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/2253.md - Preis: 23.80 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 88090 · EAN: 5943387389915 - Technische Daten: Eingangsspannung: 5 V; Eingangsspannungstyp: DC → **DC** 4-Kanal-MOSFET-Modul IRF540N zur Ansteuerung von DC-Lasten (LED-Streifen, Motoren, elektronische Module), kompatibel mit Arduino und anderen Boards. Versorgung 5VDC, Logikpegel 3.3-5V, Aktivierung bei HIGH. Optokopplung PS2801-4 mit gemeinsamem GND, Status-LED je Kanal. Unterstützt max. 100V und 10A pro Kanal. Maße 66 x 66mm. Nicht für AC-Schaltungen geeignet. ### Leistungs-MOSFET, STP110N8F6, 80V, 110A, TO-220 - Seite: https://sigmanortec.ro/de/leistungs-mosfet-stp110n8f6-80v-110a-to-220 - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/1400.md - Preis: 8.25 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 9294 · EAN: 5942807348389 - Zustand: Generalüberholt - Technische Daten: Nennstrom: 110 A Leistungs-MOSFET mit N-Kanal, STP110N8F6, hergestellt von STMicroelectronics, im TO-220-Gehäuse. Unterstützt eine Vdss von 80V und einen maximalen Strom von 110A (Tc), bei einer maximalen Verlustleistung von 200W. Geeignet für schnelles, effizientes Schalten in Schaltnetzteilen, DC-DC-Wandlern und Motorsteuerungen; das TO-220-Gehäuse ermöglicht einfache Kühlkörpermontage. ### IRF3205-Transistor - Seite: https://sigmanortec.ro/de/irf3205-transistor - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/777.md - Preis: 4.27 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33038 · EAN: 5942480842334 IRF3205-Transistor, Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse, geeignet zum effizienten Schalten von Lasten in Netzteilen, Wandlern und Motorsteuerungen. Unterstützt eine Drain-Source-Spannung von 55 V und einen Dauerstrom von 98 A, mit einem Rds(on) von 8 mOhms und einer Gate-Source-Spannung bis 20 V. Referenz 33038. ### IRF510-Transistor - Seite: https://sigmanortec.ro/de/irf510-transistor - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/778.md - Preis: 3.98 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33032 · EAN: 5943088321252 - Technische Daten: Nennstrom: 5.6 A IRF510-Transistor, N-Kanal-MOSFET im TO-220-Gehause, ausgelegt fur 100 V und einen Nennstrom von 5.6 A. Bietet schnelle Gate-Ansteuerung, geringe Verluste und stabilen Betrieb, geeignet zum Schalten von Lasten in Leistungsprojekten und Audioanwendungen sowie in Verstarkerschaltungen. ### IRF520-Transistor - Seite: https://sigmanortec.ro/de/irf520-transistor - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/779.md - Preis: 3.63 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33033 · EAN: 5943366896250 - Technische Daten: Nennstrom: 9.2 A IRF520-Transistor, Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse, für Schalten und Steuern von Leitungen bis 100V und 10A. Nennstrom 9.2 A. Die Anschlüsse sind Base (Aktivierungstrigger), Collector (an die Last angeschlossen) und Emitter (an Masse angeschlossen). Geeignet für Relais, DC-Motoren und LED-Streifen, leicht auf einem Kühlkörper montierbar. ### Transistor IRF640 IRF640N - Seite: https://sigmanortec.ro/de/transistor-irf640-irf640n - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/782.md - Preis: 3.63 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33035 · EAN: 5944886454906 - Technische Daten: Nennstrom: 18 A Leistungs-MOSFET IRF640/IRF640N im TO220-Gehäuse, für Schalt- und Steuerzwecke in Schaltnetzteilen, Wandlern und Industrieanwendungen. Drain-Source-Spannung Vds 200V, Dauerstrom Id 18A, Gate-Schwellenspannung Vgs max 4V, Gate-Ansteuerung bei Vgs 10V für niedrigen Rds on. ### IRF740-Transistor, kompatibel - Seite: https://sigmanortec.ro/de/irf740-transistor-kompatibel - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/784.md - Preis: 4.24 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33036 · EAN: 5942987511948 - Technische Daten: Nennstrom: 10 A MOSFET-Transistor, kompatibel mit IRF740, TO-220-Gehäuse. Spezifikationen: Vds 400V, Dauerstrom Id 10A, Vgs 20V. Günstigere Alternative für Reparaturen und Low-Budget-Projekte in Schaltnetzteilen, Invertern oder Lastsuertungen. ### Transistor IRF830, N-CH, 500 V - Seite: https://sigmanortec.ro/de/transistor-irf830-n-ch-500-v - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/785.md - Preis: 3.63 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33522 · EAN: 5946297247993 Transistor IRF830, N-Kanal-MOSFET mit VDS 500 V, im TO-220-Gehäuse. Er ist für das Schalten in Schaltnetzteilen, Invertern und industriellen Anwendungen vorgesehen und bietet geringe Verluste sowie schnelles Schalten. Das TO-220-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage auf einem Kühlkörper zur effizienten Wärmeableitung. Geeignet für Leistungsprojekte und Elektronikreparaturen. ### IRF840-Transistor - Seite: https://sigmanortec.ro/de/irf840-transistor - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/786.md - Preis: 4.24 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33037 · EAN: 5941107377273 MOSFET-Transistor IRF840 im TO-220-Gehäuse für Schalt- und Steuerungsanwendungen bei hohen Spannungen. Er bietet 500 V zwischen Drain und Source, einen Dauerstrom von 8 A, einen Rds(on)-Widerstand von 0,85 Ohm (850 mOhm) und eine maximale Vgs von 20 V. Geeignet für Schaltnetzteile, Inverter und Konverter. ### N-Mosfet LR2905Z, 55 V, 42 A - Seite: https://sigmanortec.ro/de/n-mosfet-lr2905z-55-v-42-a - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/493.md - Preis: 3.63 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33431 · EAN: 5941186191074 - Technische Daten: Nennstrom: 42 A; Maximale Eingangsspannung: 55 N-Kanal-MOSFET (LR2905Z / ILRL2905Z) zum Schalten in Netzteilen, Motortreibern und DC-Wandlern. Vds-Spannung 55 V, kontinuierlicher Drainstrom Id 42 A, Verlustleistung 110 W, Rds(on) niedrig bei Vgs 10 V, Schwellenspannung Vgs 2 V, maximale Betriebstemperatur 175°C. Gehäuse TO-252 mit 3 Pins, MSL 1. ### MOSFET HEXFET IRLB3034PBF IRLB3034 - Seite: https://sigmanortec.ro/de/mosfet-hexfet-irlb3034pbf-irlb3034 - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/469.md - Preis: 5.90 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 22060 · EAN: 5945756334472 Der MOSFET HEXFET IRLB3034PBF (IRLB3034) ist ein Leistungstransistor fur schnelles Schalten in DC-Anwendungen, geeignet fur Wandler, Schaltnetzteile und Motorsteuerungen. Er bietet einen sehr niedrigen Rds(on) fur geringe Verluste, tragt hohe Strome, verfugt uber logikkompatible Ansteuerung fur direkten Betrieb aus Treibern oder Mikrocontrollern und kommt im TO-220-Gehause, leicht auf einem Kuhlkorper montierbar. ### MOSFET IRF540N, original - Seite: https://sigmanortec.ro/de/mosfet-irf540n-original - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/470.md - Preis: 7.10 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33034 · EAN: 5948351367012 - Technische Daten: Nennstrom: 33 A Original IRF540N MOSFET, hergestellt von Infineon Technologies, im TO-220-Gehäuse. Drain-Source-Spannung Vds 100V, maximaler Strom Id 33A, kontinuierlicher Drain-Strom 27A, Rds(on) bei Vgs 10V getestet, Schwellenspannung Vgs typ. 4V. Geeignet für schnelles Schalten und Lastregelung in Netzteilen, Wandlern und Motortreibern. ### MosFet STP55NF06 P55NF06 - Seite: https://sigmanortec.ro/de/mosfet-stp55nf06-p55nf06 - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/473.md - Preis: 5.87 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33045 · EAN: 5949392107933 - Technische Daten: Nennstrom: 50 A N-Kanal-Leistungs-MOSFET STP55NF06 (P55NF06) für schnelles Schalten in Schaltnetzteilen, Motortreibern und Automobilanwendungen. Unterstützt eine Spannung von 60V und einen Nennstrom von 50A. Verfügt über einen niedrigen Rds(on)-Widerstand, der die Verluste reduziert und die Effizienz verbessert. Das TO-220-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und effiziente Wärmeableitung, geeignet für die sichere Steuerung induktiver und resistiver Lasten. ### Dual-Power-MOSFET-Modul, 15 A, 400 W - Seite: https://sigmanortec.ro/de/dual-power-mosfet-modul-15-a-400-w - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/373.md - Preis: 2.83 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33540 · EAN: 5949619964035 - Technische Daten: Leistung: Über 20W; Maximaler Ausgangsstrom: 15 A; Maximale kontrollierte Leistung: 400 W Dual-Power-MOSFET-Modul (33540) mit FDD8782 N-Channel-Transistoren, RDS(on) 14.0mΩ bei Vgs=4.5V, VDS max. 25V. Unterstützt 15A dauerhaft, Spitzen bis 30A, Verlustleistung bis 400W bei ausreichender Kühlung. Ansteuerung digital oder PWM 3.3-20V, Frequenz 0-20kHz. Empfohlen für Anwendungen bis 24VDC: DC-Motoren, LED-Streifen, Elektromagnete. Abmessungen: 34 x 17 x 12 mm. ### Hochleistungs-MOSFET-Schaltmodul, 100 V 300 A, Steuerung 5–18 V - Seite: https://sigmanortec.ro/de/hochleistungs-mosfet-schaltmodul-100-v-300-a-steuerung-518-v - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/2451.md - Preis: 10.78 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 88273 · EAN: 5943419070842 - Technische Daten: Maximale Eingangsspannung: 100 V; Maximaler Ausgangsstrom: 300 A; Steuerspannung: 5 - 18 V Schalte schnell leistungsstarke DC-Lasten direkt aus einem Logik- oder PWM-Signal, ohne mechanische Relais, und unterstütze bis zu 100 V sowie Spitzen von 300 A. Basierend auf dem MOSFET AOTL66912 mit sehr niedrigem Durchlasswiderstand für geringe Verluste, wird er mit 5–18 V angesteuert, optimal 10–12 V bei hohen Strömen, Low-Side, auf einer ultrakompakten 14x15-mm-Platine. Das MOSFET-Leistungs-Schaltmodul ist eine kompakte Lösung zur Ansteuerung von Hochstromlasten mit Gleichspannung. ### E-Switch Mosfet-Modul, 3-12 V Steuerung, 5-36 V Ausgang, mit Optokoppler - Seite: https://sigmanortec.ro/de/e-switch-mosfet-modul-3-12-v-steuerung-5-36-v-ausgang-mit-optokoppler - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/1628.md - Preis: 20.58 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 9513 · EAN: 5940572857129 - Technische Daten: Versorgungsspannung: 3; Maximale Eingangsspannung: 12; Minimale Ausgangsspannung: 5; Maximale Ausgangsspannung: 36; Eingangsspannungstyp: DC → **DC**; Ausgangsspannungstyp: DC → **DC** MOSFET-Modul E-Switch mit Optokoppler zur PWM-Steuerung von LED-Streifen, DC-Motoren und anderen Lasten über Arduino oder andere Mikrocontroller. Steuerspannung 3-12VDC, Ausgangsspannung 5-36VDC, maximaler Strom 5A im Standardbetrieb, 22A mit aktiver Kühlung. 2,54mm-Pins kompatibel mit DuPont-Steckern. Abmessungen 42 x 26mm. Referenz 9513. ### Power-Mosfet-Modul, 3D-Drucker, 12-24 V, 25 A - Seite: https://sigmanortec.ro/de/power-mosfet-modul-3d-drucker-12-24-v-25-a - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/940.md - Preis: 19.07 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 9129 · EAN: 5940092130757 - Technische Daten: Versorgungsspannung: 12; Maximale Eingangsspannung: 24; Maximaler Ausgangsstrom: 25; Eingangsspannungstyp: DC → **DC** Ermöglicht die Steuerung des Heizbetts von 3D-Druckern über das Motherboard-Signal, jedoch mit einer leistungsstärkeren externen Stromversorgung. Dies reduziert die Belastung und Temperatur der Platine und verlängert deren Lebensdauer. Betrieb mit 12–24 V DC, unterstützt bis zu 25 A, ist PID-kompatibel und verfügt über kompakte Abmessungen von 50 x 60 mm für eine einfache Installation. Externer Leistungs-MOSFET für 3D-Drucker, 12 VDC oder 24 VDC Spannung, maximal 25 A. Dieses Transistormodul wird speziell auf dem Heizbett des 3D-Druckers verwendet, um es von einer leistungsstärkeren externen Quelle mit Strom zu versorgen. ### IRF520-Modul - Seite: https://sigmanortec.ro/de/irf520-modul - Details: https://sigmanortec.ro/de/llms/p/400.md - Preis: 7.97 RON - Verfügbarkeit: Auf Lager - Artikelnummer: 33264 · EAN: 5940242137438 IRF520-Modul mit MOSFET, kompatibel mit Arduino und anderen Entwicklungsboards. Ermoglicht die PWM-Steuerung von DC-Lasten wie LED-Streifen, Power-LEDs oder Motoren. Steuersignal 3.3-5VDC, Lastspannung 0-24VDC, Strom unter 5A; ab 1A wird ein Kuhlkorper fur den Mosfet benotigt.